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来源: 发布时间:2023-02-18

    在开关电源中,二极管的主要作用是整流。按照整流电路中交流电的频率,开关电源中的整流电路可以分为一次整流电路(低频整流)和二次整流电路(高频整流)。其中,一次整流电路指的是对市电交流电(频率为50Hz或60Hz)进行整流,二次整流电路指的是对高频交流电(频率为几十kHz到几百kHz甚至更高)进行整流。一次整流电路和二次整流电路的原理都是利用二极管的单向导电性把交流电变成单向脉动直流电,但是它们对二极管参数的要求的侧重点不同。一次整流电路选择二极管时主要考虑功率损耗和反向阻断能力,也就是二极管参数中的正向压降UF、反向电流IR要尽可能的小。二次整流电路选择二极管时除考虑正向压降UF、反向电流IR要小外,反向恢复时间trr必须满足电路的需要,反向恢复时间成为选择二极管参数优先考虑的问题。快恢复二极管、肖特基二极管在开关电源电路中常用的二极管举例如下。快恢复二极管快恢复二极管反向恢复过程很短,简称快速二极管。快速二极管在工艺上多采用掺金措施,有的采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。快速二极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级,快速恢复二极管反向恢复时间一般小于5μs,超快速恢复二极管反向恢复时间低可小于50ns。快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件。安徽加工美高森美快恢复二极管销售厂

    模块化结构提高了产品的密集性、2d228d66-1f57-4754-a977-a1b和可靠性,同时也可降低装置的生产成本,缩短新产品进入市场的周期,提高企业的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成,因此,缩短了元器件之间的连线,可实现优化布线和对称性结构的设计,使装置线路的寄生电感和电容参数降低,有利于实现装置的高频化。此外,模块化结构与同容量分立器件结构相比,还具有体积小、重量轻、结构紧凑、外接线简单、便于维护和安装等优点,因而缩小了装置的何种,降低装置的重量和成本,且模块的主电极端子、控制端子和辅助端子与铜底板之间具有2.5kV以上有效值的绝缘耐压,使之能与装置内各种模块共同安装在一个接地的散热器上,有利于装置体积的进一步缩小,简化装置的结构设计。常州瑞华电力电子器件有限公司根据市场需求,充分利用公司近二十年来专业生产各类电力半导体模块的工艺制造技术,设计能力,工艺和测试设备以及生产制造经验,于2006年开发出了能满足VVVF变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源和伺服电机传动放大器所需的“三相整流二极管整流桥开关模块”(其型号为MDST)的基础上。海南贸易美高森美快恢复二极管销售价格因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压较高。

    使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2.检测方法1)测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子示波器观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知,当IRM为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。2)常规检测方法在业余条件下,利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只超快恢复二极管。

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns(纳秒)以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode),具有正向压降低()、反向恢复时间很短(2-10ns纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒!前者的优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。常用的小功率快恢复二极管有FR系列和PFR系列等。

    在选用IGBT模块前,应详细阅读模块参数表,了解模块的各项技术指标;根据模块的各项技术参数确定使用方案,汁算通态损耗和开关损耗,选择相匹配的散热器及驱动电路。应用中不能超过数据表中所列的大额定值,工作频率愈高,工作电流愈小;基于可靠性的原因,必须考虑安全系数。不同厂家生产的模块由于其设计和工艺的不同,其产品的技术指标会有很大的差别,因此,在选用时需要特别注意以下几点。1.绝缘材料的选取由于不同绝缘材料的热导率有很大的差别,其价格也相差很大,因此,导致不同厂家生产的同一外形结构的模块,其实际允许通过的电流容量存在很大的差异。2.芯片的选取为了保证模块达到额定电流的容量,首先要保证芯片的通态压降;其次要保证芯片的电流密度,即芯片的直径。芯片密封在外壳内,直径是无法看到的,只有通过测试通态压降等参数才能了解芯片的性能。3.焊接模块的焊接孔洞影响焊接模块质量的主要因素是模块的焊接质量,特别是焊接孔洞和虚焊的发生将严重影响产品的导热和导电性能。其产生的主要原因是焊接过程中助焊剂产生的气泡没有排出去,残留在焊接面内,形成孔洞;或者在焊接前对焊接面的清洗不净,导致虚焊等。要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。美高森美快恢复二极管销售厂

肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。安徽加工美高森美快恢复二极管销售厂

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