通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。8、结型MOS管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型MOS管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。9、焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅MOS管时，要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。10、用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45~75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型MOS管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使MOS管的输入电阻降低。如果用四引线的MOS管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。对于功率型MOS管，要有良好的散热条件。OS管是指场效应管。它采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。天津贸易MOS管销售厂家

    正常选择的型号Vref=），开始一直觉得问题出在TLV431上，后来换了板子竟发现可以正常稳压（应该是上一个板子变压器和MOS管出现问题，但没回去验证），但是mos管很烫，带载不到十秒钟就会冒烟，后来经过与芯片方案的FAE沟通才发现，MSP3910的驱动MOS管的引脚gate脚与MOS管之间的限流电阻用错物料，mos管工作原理图是，但实际用的是，更换电阻后可输出正常电压，MOS管也不会很烫。下面是解决问题思路：一、用示波器观察所用MOS管的G极波形，如图一所示，上升时间接近，下降时间接近<160ns（实测50ns），再看如图二所示的手册中对MOS驱动上升下降沿要求，上升时间要求<35ns，下降时间<80ns，可得结论：上升时间过长导致MOS管工作为线性状态，非开关状态（参看总结一），MOS管开通过程时间太长直接导致了MOS管的发热严重。二、解决：更换驱动限流电阻（图二中Rg），由于当时手里当时没有，更换为22欧的电阻后，G极波形如图三所示，Ton和Toff已经接近图二要求的时间，MOS管24V时带载27欧，输出功率，输出电压正常，MOS管基本不发热。总结一：MOS管发热原因小结1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。天津贸易MOS管销售厂家MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高。

    4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。5静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。雪崩失效分析（电压失效）到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图，做为电源工程师可以简单了解下。可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET进行失效分析，大多数厂家都给一个，那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢，下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。雪崩失效的预防措施雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。2：合理的变压器反射电压。3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。

    我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。3：合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。当低压侧驱动高压侧MOS管时，图腾柱并不能实现功能，因此需要通过自举电路来实现。

    这样不节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如图1所示。N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。海南好的MOS管现货

工作温度范围很宽，从-55°C至+150°C左右。天津贸易MOS管销售厂家

    mos管导通电阻mos管导通特性与条件（一）mos管导通特性金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorMOSFET）是一种可以广使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型”的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS?FET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在驱动中，通常还是使用NMOS。（二）MOS管导通条件场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态。天津贸易MOS管销售厂家

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