在半导体设备国产化替代的浪潮中，中清航科始终坚持自主创新，中心技术 100% 自主可控。其晶圆切割设备的关键部件如激光发生器、精密导轨、控制系统等均实现国产化量产，不仅摆脱对进口部件的依赖，还将设备交付周期缩短至 8 周以内，较进口设备缩短 50%，为客户抢占市场先机提供有力支持。展望未来，随着 3nm 及更先进制程的突破，晶圆切割将面临更小尺寸、更高精度的挑战。中清航科已启动下一代原子级精度切割技术的研发，计划通过量子点标记与纳米操控技术，实现 10nm 以下的切割精度，同时布局晶圆 - 封装一体化工艺，为半导体产业的持续发展提供前瞻性的技术解决方案，与全球客户共同迈向更微观的制造领域。晶圆切割后分选设备中清航科集成方案，效率达6000片/小时。常州碳化硅半导体晶圆切割测试

中清航科原子层精切技术：采用氩离子束定位轰击（束斑直径2nm），实现石墨烯晶圆无损伤分离。边缘锯齿度<5nm，电导率波动控制在±0.5%，满足量子芯片基材需求。中清航科SmartCool系统通过在线粘度计与pH传感器，实时调整冷却液浓度（精度±0.1%）。延长刀具寿命40%，减少化学品消耗30%，单线年省成本$12万。中清航科开发振动指纹库：采集设备运行特征频谱，AI定位振动源（如电机偏心/轴承磨损）。主动抑制系统将振动能量降低20dB，切割线宽波动<±0.5μm。

晶圆切割是半导体封装的中心环节，传统刀片切割通过金刚石砂轮实现材料分离。中清航科研发的超薄刀片（厚度15-20μm）结合主动冷却系统，将切割道宽度压缩至30μm以内，崩边控制在5μm以下。我们的高刚性主轴技术可适配8/12英寸晶圆，切割速度提升40%，为LED、MEMS器件提供经济高效的解决方案。针对超薄晶圆（<50μm）易碎裂难题，中清航科激光隐形切割系统采用红外脉冲激光在晶圆内部形成改性层，通过扩张膜实现无应力分离。该技术消除机械切割导致的微裂纹，良率提升至99.3%，尤其适用于存储芯片、CIS等器件，助力客户降低材料损耗成本。

随着半导体市场需求的快速变化，产品迭代周期不断缩短，这对晶圆切割的快速响应能力提出更高要求。中清航科建立了快速工艺开发团队，承诺在收到客户新样品后 72 小时内完成切割工艺验证，并提供工艺报告与样品测试数据，帮助客户加速新产品研发进程，抢占市场先机。晶圆切割设备的操作安全性至关重要，中清航科严格遵循 SEMI S2 安全标准，在设备设计中融入多重安全保护机制。包括激光安全联锁、急停按钮、防护门检测、过载保护等，同时配备安全警示系统，实时显示设备运行状态与潜在风险，确保操作人员的人身安全与设备的安全运行。中清航科等离子切割技术处理氮化镓晶圆，热影响区减少60%。

中清航科为晶圆切割设备提供全生命周期的服务支持，从设备安装调试、操作人员培训、工艺优化指导到设备升级改造，形成完整的服务链条。建立客户服务档案，定期进行设备巡检与性能评估，根据客户的生产需求变化提供定制化的升级方案，确保设备始终保持先进的技术水平。随着半导体技术向更多新兴领域渗透，晶圆切割的应用场景不断拓展。中清航科积极布局新兴市场，开发适用于可穿戴设备芯片、柔性电子、生物芯片等领域的切割设备。例如，针对柔性晶圆的切割，采用低温冷冻切割技术，解决柔性材料切割时的拉伸变形问题，为新兴半导体应用提供可靠的制造保障。中清航科真空吸附晶圆托盘，解决超薄晶圆切割变形难题。宿迁sic晶圆切割宽度

超窄街切割方案中清航科实现30μm道宽，芯片数量提升18%。常州碳化硅半导体晶圆切割测试

针对晶圆切割后的表面清洁度要求，中清航科在设备中集成了在线等离子清洗模块。切割完成后立即对晶圆表面进行等离子处理，去除残留的切割碎屑与有机污染物，清洁度达到 Class 10 标准。该模块可与切割流程无缝衔接，减少晶圆转移过程中的二次污染风险。中清航科注重晶圆切割设备的人性化设计，操作界面采用直观的图形化布局，支持多语言切换与自定义快捷键设置。设备配备可调节高度的操作面板与符合人体工学的扶手设计，减少操作人员长时间工作的疲劳感，同时提供声光报警与故障提示，使操作更便捷高效。常州碳化硅半导体晶圆切割测试