在镁碳砖中添加一定量的TiN，可以明显提高镁碳砖的抗渣侵蚀性。1)氮化钛是优良的结构材料，可用于蒸汽喷射推进器和火箭等。在轴承和密封圈领域也大量使用氮化钛合金，强调了氮化钛的应用效果。2)基于氮化钛的优异导电性，可以制作各种电极和点接触等材料。3)氮化钛具有高超导临界温度，可作为优良的超导材料。4)氮化钛熔点高于许多过渡金属氮化物，密度低于许多金属氮化物，是一种独特的耐火材料。5)氮化钛可以作为一种膜镀在玻璃上，红外反射率大于75%时，氮化钛薄膜厚度大于90nm时，可以有效提高玻璃的保温性能。另外，通过调整氮化钛中的氮含量，可以改变氮化钛薄膜的颜色，达到理想的美观。含有纳米氨化钛颗粒的陶瓷材料内部便形成导电网络。这种材料可作为电子元件应用于半导体工业中。上海真空镀膜氮化钛功能

研究新工艺、新材料在齿轮上的应用，提高齿轮的质量和性能，降低生产和使用成本，减少噪音，减少能源和资源消耗具有十分重要的意义。 “齿轮表面陶瓷生长工艺的研究”主要研究齿轮表面陶瓷的生长，实现陶瓷生长层与本体紧密结合，为高韧性、耐磨耐热、长寿命的齿轮提供重要的理论依据和试验数据。主要有以下几个方面： ① 对32Cr2MoV钢离子渗氮进行了研究。通过离子渗氮，提高了32Cr2MoV钢表面硬度，并形成了一定深度的硬化层，为后续的多弧离子镀氮化钛(TiN)陶瓷涂层提供了良好的支撑。 ② 离子渗氮与多弧离子镀复合处理的研究，采用正交试验法，运用多弧离子镀，在32Cr2MoV钢渗氮基体上镀覆TiN陶瓷，研究多弧离子镀各工艺参数对TiN陶瓷性能的影响，优化出了一种工艺，并通过该工艺获得了性能优良的TiN陶瓷涂层。 ③ 对32Cr2MoV钢、渗氮层及TiN陶瓷进行了微观结构的分析，研究其结构对整个材料性能的影响。研究了表面TiN陶瓷材料的耐腐蚀性能。 ④ 对32Cr2MoV钢氮化与复合处理试样进行了滚子试验，研究其摩擦磨损性能，试验表明：材料经过复合处理后较氮化有更好的抗摩擦磨损性能。 ⑤ 制备出了表面陶瓷齿轮，为研究表面陶瓷齿轮的承载能力、磨损、疲劳等性能提供了条件。宿迁镀黑氮化钛供应商氮化钛有较高的导电性可用作熔盐电解的电极以及点触头、薄膜电阻等，有较高超导临界温度是优良的超导材料。

TiN薄膜因具有高硬度、低摩擦系数、高粘着强度、化学稳定性好、与钢铁材料的热膨胀系数相近等优点而被广泛应用于各个领域，特别是被用作高质量的切割工具,抗磨粒、磨蚀和磨损部件的表面工程材料。TiN薄膜以其制备工艺成熟稳定、价格低廉以及耐磨耐腐蚀特性好，而广泛应用于切削工具和机械零件的硬质涂层保护膜。近年来，随着科技的发展和工业的需求，TiN在MEMS、太阳能电池的背电极、燃料电池、纳米生物技术、节能镀膜玻璃等领域的应用都有相关的报道。

ＴｉＮ涂层的耐腐蚀性能进行了试验研究。除采用几种较弱的腐蚀介质外，还在Ｈ２ＳＯ４溶液、ＨＣｌ溶液中对ＴｉＮ涂层样品做了浸泡试验。所有结果表明：涂层后的样品。其耐腐蚀性能比未涂层样品提高几倍至十几倍。同时，在ＮａＣｌ溶液、人工汗液和酸溶液中，分别测定了涂层和未涂层样品的电化学行为。ＴｉＮ涂层表现出较高的溶解电位，说明它在热力学上对上述化学介质是比较稳定的。致密ＴｉＮ涂层的耐腐蚀能力优于不锈钢，但是如果涂层有贯穿的孔洞或涂展太薄时，则涂层试样也会被腐蚀。氮化钛具有金属光泽，可作为仿真的金色装饰材料，在代金装饰行业中具有良好的应用前景。

46.氮化钛具有熔点高、化学稳定性好、硬度大、导电、导热和光性能好等良好的理化性质，在各领域具有十分重要的用途，特别是在新型金属陶瓷领域和黄金装饰领域。对氮化钛粉末的工业需求越来越高，氮化钛作为涂层价格低廉、耐磨性好，性能比真空涂层好很多，氮化钛的应用前景非常广阔。主要适用于以下领域：1)氮化钛生物相容性强，可应用于临床医学和口腔医学。2)氮化钛摩擦系数低，可用作高温润滑剂。3)氮化钛具有金属光泽，作为模拟金色装饰材料，在黄金装饰行业具有良好应用前景的氮化钛也可以作为金色涂料应用于珠宝行业;作为替代WC的潜在材料，可以明显降低材料的应用成本。4)可用于研制具有强硬度和耐磨性，比普通硬质合金工具耐久性和寿命显著提高的新型工具。改善钛双极板在质子交换膜(PEM)水电解槽环境中耐腐蚀和导电性能，在钛基底表面制备碳掺杂氮化钛复合涂层。上海真空镀膜氮化钛功能

我国对氮化钛涂层刀具的使用起步较晚，但已有不少厂家开始推广使用，经济效益极为可观。上海真空镀膜氮化钛功能

在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RCDelay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行改进，Via阻挡层MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机物化学气相淀积)TiN是其中重要研究课题之一。本论文基于薄膜电阻的理论分析，从厚度、杂质浓度和晶体结构三大薄膜电阻影响因素出发系统研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真实结构中的各种性质，重点是等离子体处理(PlasmaTreatment，PT)下的晶体生长，制备循环次数的选择对薄膜杂质浓度、晶体结构及电阻性能的影响，不同工艺薄膜在真实结构中物理形貌、晶体结构和电阻性能的表现和规律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的实际应用等。俄歇能谱、透射电子显微镜和方块电阻测试证明PT作用下杂质浓度降低，同时晶体生长，薄膜致密化而电阻率降低。PT具有饱和时间和深度，较厚薄膜需多循环制备以充分处理，发现薄膜厚度较小时(本实验条件下为4nm)，增加循环次数虽然进一步降低了杂质浓度，但会引入界面而使薄膜电阻率增加。通过TEM观测发现由于等离子体运动的各向异性，真实结构中PT效率在侧壁远低于顶部和底部，这导致侧壁薄膜在PT后更厚。上海真空镀膜氮化钛功能

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