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河北压铸模具氮化钛功能

来源: 发布时间:2023-04-30

50.本实验应用离子束辅助沉积技术在磁性附着体衔铁铁铬钼合金表面制备氮化钛纳米膜,希望通过氮化钛纳米膜优异的理化性能,增强磁性附着体的耐蚀性和耐磨性,从而改进磁性附着体的性能,并且对铁铬钼合金材料本体特性没有影响。实验结果表明:第四军医大学硕土学垃论文1.离子束辅助沉积技术可以在铁铬铜软磁合金表面获得非常致密与基体结合力极强的氮化钛纳米膜,膜与基体界面的结合力在65N—75N之间,完全能够满足实验及临床长期应用。2.铁铬钥合金表面镀氮化钛纳米膜处理前后磁性附着体磁力数值无明显改变,方差分析统计学处理,p劝.05,无统计学差别。即镀膜后磁固位力无改变。对磁性附着体的衔铁软磁合金进行镀膜处理,来研究改进磁性附着体性能是可行的c3.由自腐蚀电位所反映的腐蚀倾向;极化曲线反映的耐腐蚀性能;极化电阻、腐蚀电流密度反映的腐蚀速度等电化学指标均表明经IBAD制备氮化钛纳米膜的铁铬铝合金较未做表面镀膜处理的合金耐腐蚀性高。4.制备氮化钛纳米膜组显微硬度值明显高于未镀膜组有明显性差异,氮化钛纳米膜能够明显提高铁铬用合金的显微硬度,增强其耐磨性能。TiN粉末一般呈黄褐色超细TiN粉末呈黑色,而TiN晶体呈金黄色。河北压铸模具氮化钛功能

TiN涂层的耐腐蚀性能进行了试验研究。除采用几种较弱的腐蚀介质外,还在H2SO4溶液、HCl溶液中对TiN涂层样品做了浸泡试验。所有结果表明:涂层后的样品。其耐腐蚀性能比未涂层样品提高几倍至十几倍。同时,在NaCl溶液、人工汗液和酸溶液中,分别测定了涂层和未涂层样品的电化学行为。TiN涂层表现出较高的溶解电位,说明它在热力学上对上述化学介质是比较稳定的。致密TiN涂层的耐腐蚀能力优于不锈钢,但是如果涂层有贯穿的孔洞或涂展太薄时,则涂层试样也会被腐蚀。淮安氮化钛产品介绍氮化钛是用于优良度的金属陶瓷工具、喷汽推进器、以及火箭等优良的结构材料。另氮化钛可作为高温润滑剂。

1.氮化钛(TiN)具有典型的NaCl型结构,属面心立方点阵,晶格常数a=0.4241nm,其中钛原子位于面心立方的角顶。TiN是非化学计量化合物其稳定的组成范围为TiN0.37-TiN1.16,氮的含量可以在一定的范围内变化而不引起TiN结构的变化。TiN粉末一般呈黄褐色超细TiN粉末呈黑色,而TiN晶体呈金黄色。TiN熔点为2950℃,密度为5.43-5.44g/cm3,莫氏硬度8-9,抗热冲击性好。氢化钛的理化性质由氢元素的含量来决定,当氨元素含量减少时氮化钛的晶格参数反而增大,硬度也会有显微的增大,但氮化钛的抗震性随之降低。TiN熔点比大多数过渡金属氮化物的熔点高,而密度却比大多数金属氨化物低,因此是一种很有特色的耐热材料。

TiN薄膜因具有高硬度、低摩擦系数、高粘着强度、化学稳定性好、与钢铁材料的热膨胀系数相近等优点而被广泛应用于各个领域,特别是被用作高质量的切割工具,抗磨粒、磨蚀和磨损部件的表面工程材料。TiN薄膜以其制备工艺成熟稳定、价格低廉以及耐磨耐腐蚀特性好,而广泛应用于切削工具和机械零件的硬质涂层保护膜。近年来,随着科技的发展和工业的需求,TiN在MEMS、太阳能电池的背电极、燃料电池、纳米生物技术、节能镀膜玻璃等领域的应用都有相关的报道。氮化钛是一种新型的多功能陶瓷材料。在TiC-Mo-Ni系列的金属陶瓷中加入一定氮化钛,使硬质相晶粒较为细化。

46.氮化钛具有熔点高、化学稳定性好、硬度大、导电、导热和光性能好等良好的理化性质,在各领域具有十分重要的用途,特别是在新型金属陶瓷领域和黄金装饰领域。对氮化钛粉末的工业需求越来越高,氮化钛作为涂层价格低廉、耐磨性好,性能比真空涂层好很多,氮化钛的应用前景非常广阔。主要适用于以下领域:1)氮化钛生物相容性强,可应用于临床医学和口腔医学。2)氮化钛摩擦系数低,可用作高温润滑剂。3)氮化钛具有金属光泽,作为模拟金色装饰材料,在黄金装饰行业具有良好应用前景的氮化钛也可以作为金色涂料应用于珠宝行业;作为替代WC的潜在材料,可以明显降低材料的应用成本。4)可用于研制具有强硬度和耐磨性,比普通硬质合金工具耐久性和寿命显著提高的新型工具。氮化钛的熔点高于大多数过渡金属氮化物,密度低于大多数金属氮化物,从而成为一种独特的耐火材料。重庆润滑氮化钛加工中心

氮化钛是一种优良的结构材料。在轴承和密封环领域也多用氮化钛合金凸显了氮化钛优异的应用效果。河北压铸模具氮化钛功能

在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中,后段工艺日趋重要,为降低阻容迟滞(RCDelay),保证信号传输,减小功耗,有必要对后段工艺进行改进,Via阻挡层MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition,金属有机物化学气相淀积)TiN是其中重要研究课题之一。本论文基于薄膜电阻的理论分析,从厚度、杂质浓度和晶体结构三大薄膜电阻影响因素出发系统研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真实结构中的各种性质,重点是等离子体处理(PlasmaTreatment,PT)下的晶体生长,制备循环次数的选择对薄膜杂质浓度、晶体结构及电阻性能的影响,不同工艺薄膜在真实结构中物理形貌、晶体结构和电阻性能的表现和规律,超薄TiN薄膜(<5nm)的实际应用等。俄歇能谱、透射电子显微镜和方块电阻测试证明PT作用下杂质浓度降低,同时晶体生长,薄膜致密化而电阻率降低。PT具有饱和时间和深度,较厚薄膜需多循环制备以充分处理,发现薄膜厚度较小时(本实验条件下为4nm),增加循环次数虽然进一步降低了杂质浓度,但会引入界面而使薄膜电阻率增加。通过TEM观测发现由于等离子体运动的各向异性,真实结构中PT效率在侧壁远低于顶部和底部,这导致侧壁薄膜在PT后更厚。河北压铸模具氮化钛功能

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