氮化钛是一种新型多功能陶瓷材料。 在TiC-Mo-Ni系列金属陶瓷中添加一定量的氮化钛，硬质相晶粒明显细化，陶瓷的理学性能无论在室温还是高温条件下均得到大幅改善，然后金属陶瓷的高温耐腐蚀性和抗氧化性大幅提高; 通过以一定比例向陶瓷中添加TiN粉末，可以提高陶瓷的强度、韧性、硬度; 将纳米氮化钛添加到TiN/Al2O3复相纳米陶瓷中，通过机械混合法等各种方法均匀混合，在得到的含有纳米氮化钛粒子的陶瓷材料内部形成导电网络。 这种材料可以作为电子部件应用于半导体工业。氮化钛还可以作为金色涂料应用于首饰行业;可以作为替代WC的潜在材料，使材料的应用成本大幅度降低。宁波防锈氮化钛检测

表面涂层技术已成为提高材料抗疲劳和抗磨损性能的重要手段。许多零部件,例如刀具、齿轮和轴承等,通过表面涂层,改善接触性能。但由于涂层制造过程中不可避免的缺陷以及涂层基体之间弹性参数不连续性,在接触应力作用下涂层结构易产生裂纹,随着裂纹的扩展,引起涂层的剥落而造成零件的失效。为满足涂层结构在工程应用中的可靠性要求,需要研究在摩擦接触条件下涂层结构的失效机理。本文主要完成了以下工作:1利用等离子辅助化学气相沉积技术制备厚度为10μm的氮化钛涂层,其基体为高速钢。利用显微硬度仪测量得到涂层的硬度约为2000HV4000HV,利用纳米压痕仪测量得到涂层的弹性模量和断裂韧度分别为590GPa和3.30MPa·1/2m。划痕法本质上属于摩擦接触问题,可通过扫描电镜对涂层划痕表面进行观察与分析,结果表明在涂层表面产生了平均间距约为5.1μm弧形裂纹,同时测得涂层表面的摩擦系数约为0.25。苏州 刀具氮化钛加工中心氮化钛涂层具有令人满意的金黄色，作为代金装饰材料具有很好的仿金、装饰价值并有防腐、延长工艺品的寿命。

TiN薄膜因具有高硬度、低摩擦系数、高粘着强度、化学稳定性好、与钢铁材料的热膨胀系数相近等优点而被广泛应用于各个领域，特别是被用作高质量的切割工具,抗磨粒、磨蚀和磨损部件的表面工程材料。TiN薄膜以其制备工艺成熟稳定、价格低廉以及耐磨耐腐蚀特性好，而广泛应用于切削工具和机械零件的硬质涂层保护膜。近年来，随着科技的发展和工业的需求，TiN在MEMS、太阳能电池的背电极、燃料电池、纳米生物技术、节能镀膜玻璃等领域的应用都有相关的报道。

1. 为提高船用低速柴油机柱塞的耐磨性和柱塞偶件使用寿命，采用离子镀技术与多弧磁控耦合镀膜技术分别在柱塞上涂覆了TiN涂层和DLC涂层。利用扫描电镜(SEM)、轮廓仪和X射线衍射仪(XRD)技术表征了TiN与DLC涂层的微观形貌、表面粗糙度及物相组成，采用纳米压痕仪检测了TiN与DLC涂层的纳米硬度及弹性模量；运用划痕法和压痕法测试了TiN和DLC涂层的结合力，通过往复磨损试验考察了这2种涂层在空气中与在重柴油环境下的摩擦系数，同时结合光学显微镜定性评判TiN和DLC涂层磨损程度，通过台架试验评价了TiN涂层与DLC涂层柱塞的实际磨损情况。结果表明：这2种涂层晶体生长良好、结构连续致密，均未出现分层、开裂及剥离的现象，DLC涂层相对光滑，粗糙度Ra为0.10μm,而TiN涂层Ra为0.16μm; DLC涂层表面纳米硬度、弹性模量及泊松比均高于TiN涂层；无论在空气中还是重油环境下，TiN涂层摩擦系数均高于DLC涂层，耐磨性低于DLC涂层；台架试验后TiN涂层柱塞表面出现比较明显的平行状沟槽磨痕，而且整体磨损比较严重，而DLC涂层柱塞表面的磨痕非常窄并且浅，不易被发现，进一步证明DLC的耐磨损性能更优越。在上世纪70年代，氮化钛涂层成功应用于刀具等切割加工工具上，促进了刀具加工行业的发展。

在镁碳砖中添加一定量的TiN，可以明显提高镁碳砖的抗渣侵蚀性。1)氮化钛是优良的结构材料，可用于蒸汽喷射推进器和火箭等。在轴承和密封圈领域也大量使用氮化钛合金，强调了氮化钛的应用效果。2)基于氮化钛的优异导电性，可以制作各种电极和点接触等材料。3)氮化钛具有高超导临界温度，可作为优良的超导材料。4)氮化钛熔点高于许多过渡金属氮化物，密度低于许多金属氮化物，是一种独特的耐火材料。5)氮化钛可以作为一种膜镀在玻璃上，红外反射率大于75%时，氮化钛薄膜厚度大于90nm时，可以有效提高玻璃的保温性能。另外，通过调整氮化钛中的氮含量，可以改变氮化钛薄膜的颜色，达到理想的美观。氮化钛生物兼容性高，可以应用于临床医学和口腔医学方面。江苏 刀具氮化钛供应商

TiN有着诱人的金黄色、熔点高、硬度大、化学稳定性好、与金属的润湿小的结构材料、并具有导电性和超导性。宁波防锈氮化钛检测

在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RCDelay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行改进，Via阻挡层MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机物化学气相淀积)TiN是其中重要研究课题之一。本论文基于薄膜电阻的理论分析，从厚度、杂质浓度和晶体结构三大薄膜电阻影响因素出发系统研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真实结构中的各种性质，重点是等离子体处理(PlasmaTreatment，PT)下的晶体生长，制备循环次数的选择对薄膜杂质浓度、晶体结构及电阻性能的影响，不同工艺薄膜在真实结构中物理形貌、晶体结构和电阻性能的表现和规律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的实际应用等。俄歇能谱、透射电子显微镜和方块电阻测试证明PT作用下杂质浓度降低，同时晶体生长，薄膜致密化而电阻率降低。PT具有饱和时间和深度，较厚薄膜需多循环制备以充分处理，发现薄膜厚度较小时(本实验条件下为4nm)，增加循环次数虽然进一步降低了杂质浓度，但会引入界面而使薄膜电阻率增加。通过TEM观测发现由于等离子体运动的各向异性，真实结构中PT效率在侧壁远低于顶部和底部，这导致侧壁薄膜在PT后更厚。宁波防锈氮化钛检测

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