EVG?6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞/大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台,带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。重庆晶圆键合机
1) 由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时,解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。
2) 由高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境,且具有工艺温度低,容易实现图 形化,应力匹配度高等优点。
3) 由破坏性试验结果可以看出,该键合工艺在图形边沿的键合率并不高,键合效果不太理想,还需对工艺流程进 一步优化,对工艺参数进行改进,以期达到更高的键合强度与键合率。 免税价格键合机国内用户EVG501 晶圆键合机系统:真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现醉高产量;研发和试生产的醉低购置成本。
EVG®810LT技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
50-200、100-300毫米
LowTemp?等离子活化室
工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)
通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)
真空系统:9x10-2mbar
腔室的打开/关闭:自动化
腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)
可选功能:
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力
符合LowTemp?等离子活化粘结的材料系统
Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/
Si(热氧化)
TEOS/TEOS(热氧化)
绝缘体锗(GeOI)的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半导体:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)
引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中,这是因为其成本效率高且易于应用。在蕞佳环境中,每秒蕞多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。
尽管球形键合的蕞佳选择是纯金,但由于铜的相对成本和可获得性,铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置,以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形,因此得名。当铜用于球焊时,氮气以气态形式使用,以防止在引线键合过程中形成氧化铜。 晶圆级涂层、封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp?等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°
结合力:蕞高5N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。绝缘体上硅键合机微流控应用
根据键合机型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。重庆晶圆键合机
业内主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种黏合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
奥地利的EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有2000多拥有多年晶圆键合经验的员工,同时,GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。
根据型号和加热器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。 重庆晶圆键合机