这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺，这不仅需要高度的灵活性，而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验，并将这些知识技能整合到EVG100系列中，可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。光刻胶处理设备有：EVG101光刻胶处理，EVG105光刻胶烘焙机，EVG120光刻胶处理自动化系统；EVG150光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数，请联系我们，我们会给您提供蕞新的资料。或者访问我们的官网获取相关信息。EVG的掩模对准目标是适用于高达300mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。湖南光刻机有哪些品牌

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray?曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。湖南光刻机有哪些品牌EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。

IQAligner工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5μm底侧对准：≤±1,0μm红外校准：≤±2,0μm/具体取决于基板材料曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除产能全自动：弟一批生产量：每小时85片全自动：吞吐量对准：每小时80片

IQAligner®NT特征：零辅助桥接工具-双基板概念，支持200mm和300mm的生产灵活性吞吐量>200wph（手次打印）间端对准精度：顶侧对准低至250nm背面对准低至500nm宽带强度>120mW/cm2（300毫米晶圆）完整的明场掩模移动（FCMM）可实现灵活的图案定位并兼容暗场掩模对准非接触式原位掩膜到晶圆接近间隙验证超平坦和快速响应的温度控制晶片卡盘，出色的跳动补偿手动基板装载能力返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统远程技术支持和GEM300兼容性智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSoftwarePlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能并行/排队任务处理功能智能处理功能发生和警报分析智能维护管理和跟踪EVG101是光刻胶处理，EVG105是光刻胶烘焙机，EVG120、EVG150是光刻胶处理自动化系统。

EVG6200NT附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG6200NT技术数据：曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能：全自动：弟一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5μm底侧对准：≤±1,0μm红外校准：≤±2,0μm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0μmNIL对准：≤±3.0μm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNILEVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出巨大的贡献，以提高蕞重要的光刻技术的水平。山西LED光刻机

只有以客户的需求为导向，研发才具有价值，也是我们不断前进的动力。湖南光刻机有哪些品牌

HERCULES光刻轨道系统特征：生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势；多功能平台支持各种形状，尺寸，高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理；高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征；CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层；纳流®涂布，并通过结构的保护；自动面膜处理和存储；光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒；使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎，薄或翘曲的晶圆处理；返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统；多用户的概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）。湖南光刻机有哪些品牌