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晶片光刻机高级封装应用

来源: 发布时间:2024-08-11

EVG620NT或完全容纳的EVG620NTGen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能,可在各种应用中实现出色的曝光效果,例如,对薄而厚的光刻胶进行曝光,对深腔进行构图并形成可比的形貌,以及对薄而易碎的材料(例如化合物半导体)进行加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。EVG620NT特征:晶圆/基板尺寸从小到150mm/6''系统设计支持光刻工艺的多功能性易碎,薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理,更换时间短带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列EVG光刻机的掩模对准器和工艺能力经过客户现场验证,安装并集成在全球各地的用户系统中。晶片光刻机高级封装应用

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EVG®150光刻胶处理系统分配选项:各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000cP的粘度液体底漆/预湿/洗盘去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)恒压分配系统/注射器分配系统电阻分配泵具有流量监控功能可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸超音波附加模块选项预对准:光学/机械ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR晶圆光刻机美元报价EVG150光刻胶处理系统拥有:Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口。

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光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray?曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。

EVG6200NT附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG6200NT技术数据:曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能:全自动:弟一批生产量:每小时180片全自动:吞吐量对准:每小时140片晶圆晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5μm底侧对准:≤±1,0μm红外校准:≤±2,0μm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0μmNIL对准:≤±3.0μm曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理纳米压印光刻技术:SmartNILIQ Aligner光刻机支持的晶圆尺寸高达200 mm / 300 mm。

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EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat?,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了无与伦BI的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray?模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比ZUI高为1:10,垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统,对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。EVG620光刻机优惠价格

只有以客户的需求为导向,研发才具有价值,也是我们不断前进的动力。晶片光刻机高级封装应用

EVG®150光刻胶处理系统技术数据:模块数:工艺模块:6烘烤/冷却模块:蕞多20个工业自动化功能:Ergo装载盒式工作站/SMIF装载端口/SECS/GEM/FOUP装载端口智能过程控制和数据分析功能(框架软件平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米可用模块:旋涂/OmniSpray®/开发烘烤/冷却晶圆处理选项:单/双EE/边缘处理/晶圆翻转弯曲/翘曲/薄晶圆处理晶片光刻机高级封装应用

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