电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!F20测厚范围：15nm - 70μm；波长：380-1050nm。浙江氮化镓膜厚仪

生物医疗器械应用中的涂层生物医疗器械的制造和准备方面会用到许多类型的涂层。有些涂层是为了保护设备免受腐蚀，而其他的则是为了预防组织损伤、感然或者是排异反应。 药物传输涂层也变得日益普通。其它生物医学器械，如血管成型球囊，具有独力的隔膜，必须具有均匀和固定的厚度才能正常工作。测量范例：支架是塑料或金属制成的插入血管防止收缩的小管。很多时候，这些支架用聚合物或药物涂层处理，以提高功能和耐腐蚀。F40配上20倍物镜（25微米光斑），我们能够测量沿不锈钢支架外径这些涂层的厚度。这个功能强大的仪器提供医疗器械行业快速可靠，非破坏性，无需样品准备的厚度测量。Filmetrics F32膜厚仪试用FSM拉曼的应用：局部应力； 局部化学成分；局部损伤。

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...

F50系列包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F50：20nm-70μm380-1050nmF50-UV：5nm-40μm190-1100nmF50-NIR：100nm-250μm950-1700nmF50-EXR：20nm-250μm380-1700nmF50-UVX：5nm-250μm190-1700nmF50-XT：0.2μm-450μm1440-1690nmF50-s980：4μm-1mm960-1000nmF50-s1310：7μm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10μm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。F3-s980 是波长为980奈米的版本，是为了针对成本敏锐的应用而设计。

FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。F20-EXR测厚范围：15nm - 250μm；波长：380-1700nm。Filmetrics F32膜厚仪试用

测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。浙江氮化镓膜厚仪

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度浙江氮化镓膜厚仪