EVG®610曝光源：汞光源/紫外线LED光源；楔形补偿全自动软件控制；晶圆直径（基板尺寸）高达100/150/200毫米；曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式；曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光；先进的对准功能：手动对准/原位对准验证手动交叉校正大间隙对准；EVG®610光刻机系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除使用的纳米压印光刻技术是“无紫外线”。HERCULES对准精度：上侧对准：≤±0.5μm；底侧对准：≤±1,0μm；红外校准：≤±2,0μm/具体取决于基材。高校光刻机技术原理

EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数转速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm喷涂模块-喷涂产生超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴；开发模块-分配选项水坑显影/喷雾显影EVG101光刻胶处理系统；附加模块选项：预对准：机械系统控制参数：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR四川高校光刻机EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统，可以在顶部和双面光刻。

EVG®150--光刻胶自动处理系统EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台，可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆，而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载

HERCULES光刻轨道系统特征：生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势；多功能平台支持各种形状，尺寸，高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理；高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征；CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层；纳流®涂布，并通过结构的保护；自动面膜处理和存储；光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒；使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎，薄或翘曲的晶圆处理；返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统；多用户的概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）。整个晶圆表面高光强度和均匀性是设计和不断提高EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。

EVG®610特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户的概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG®610技术数据：对准方式上侧对准：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm红外校准：≤±2,0μm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0μmNIL对准：≤±2,0μm了解客户需求和有效的全球支持，这是我们提供优先解决方案的重要基础。半导体光刻机美元报价

EVG已经与研究机构合作超过35年，可以深入了解他们的独特需求。高校光刻机技术原理

IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内（弟一次印刷/对准）>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5μm/±1.0μm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘，SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿，实现ZUI佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量（弟一次印刷/对准）>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模（FCMM）■经准的跳动补偿，实现ZUI佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台高校光刻机技术原理