原料准备
主要成分：树脂（成膜剂，如酚醛树脂、聚酰亚胺等）、感光剂（光引发剂或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻胶单体）、溶剂（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加剂（调节粘度、感光度、稳定性等，如表面活性剂、稳定剂）。
原料提纯：对树脂、感光剂等进行高纯度精制（纯度通常要求99.9%以上），避免杂质影响光刻精度。
配料与混合
按配方比例精确称量各组分，在洁净环境，如万中通过搅拌机均匀混合，形成胶状溶液。
控制温度（通常20-30℃）和搅拌速度，避免气泡产生或成分分解。
过滤与纯化
使用纳米级滤膜（孔径0.05-0.2μm）过滤，去除颗粒杂质（如金属离子、灰尘），确保胶液洁净度，避免光刻时产生缺陷。
性能检测
物理指标：粘度、固含量、表面张力、分子量分布等，影响涂布均匀性。
化学指标：感光度、分辨率、对比度、耐蚀刻性，通过曝光实验和显影测试验证。
可靠性：存储稳定性（常温/低温保存下的性能变化）、耐温性（烘烤过程中的抗降解能力）。
包装与储存
在惰性气体（如氮气）环境下分装至避光容器（如棕色玻璃瓶或铝罐），防止感光剂氧化或光分解。
储存条件：低温（5-10℃）、避光、干燥，部分产品需零下环境（如EUV光刻胶）。
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化学反应：
正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；
负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影（Development）
显影液：
正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；
负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。
方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘（Post-Bake）
目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。
条件：
温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；
时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。
7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）
蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；
离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。
8. 去胶（Strip）
方法：
湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。
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关键工艺流程
涂布：
在晶圆/基板表面旋涂光刻胶，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度调整），需均匀无气泡（旋涂转速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加热（80-120℃）去除溶剂，固化胶膜，增强附着力（避免显影时边缘剥离）。
曝光：
光源匹配：
G/I线胶：汞灯（适用于≥1μm线宽，如PCB、LCD）。
DUV胶（248nm/193nm）：KrF/ArF准分子激光（用于28nm-14nm制程，如存储芯片）。
EUV胶（13.5nm）：极紫外光源（用于7nm以下制程，需控制纳米级缺陷）。
曝光能量：需精确控制（如ArF胶约50mJ/cm），避免过曝或欠曝导致图案失真。
显影：
采用碱性溶液（如0.262N四甲基氢氧化铵，TMAH），曝光区域胶膜溶解，未曝光区域保留，形成三维立体图案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化学增幅型胶需此步骤，通过加热（90-130℃）激发光酸催化反应，提高分辨率和耐蚀刻性。
正性光刻胶的工艺和应用场景。
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企业定位与资质
成立背景：深耕半导体材料行业23年，位于松山湖经济技术开发区，注册资本2000万元，是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。
质量体系：通过ISO9001:2008认证，严格执行8S现场管理，原材料源自美国、德国、日本等国，确保产品稳定性。
市场布局：产品远销全球，与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系，覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。
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企业优势
研发能力：拥有多项专利证书，自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品，配备全自动化生产设备，具备从材料合成到成品制造的全流程能力。
产能与品控：采用进口原材料和严格制程管控，确保金属杂质含量低于行业标准（如半导体光刻胶金属杂质<5ppb），良率达99%以上。
