绿色制造与循环经济
公司采用水性光刻胶技术，溶剂挥发量较传统产品降低60%，符合欧盟REACH法规和国内环保标准。同时，其光刻胶废液回收项目已投产，通过膜分离+精馏技术实现90%溶剂循环利用，年减排VOCs（挥发性有机物）超100吨。
低碳供应链管理
吉田半导体与上游供应商合作开发生物基树脂，部分产品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放强度较传统工艺降低30%。这一举措使其在光伏电池和新能源汽车领域获得客户青睐，相关订单占比从2022年的15%提升至2023年的25%。
吉田半导体产品矩阵。深圳水性光刻胶
先进制程瓶颈突破
KrF/ArF光刻胶的量产能力提升直接推动7nm及以下制程的国产化进程。例如，恒坤新材的KrF光刻胶已批量供应12英寸产线，覆盖7nm工艺，其工艺宽容度较日本同类型产品提升30%。这使得国内晶圆厂（如中芯国际）在DUV多重曝光技术下，能够以更低成本实现接近EUV的制程效果，缓解了EUV光刻机禁运的压力。此外，武汉太紫微的T150A光刻胶通过120nm分辨率验证，为28nm成熟制程的成本优化提供了新方案。
EUV光刻胶研发加速
尽管EUV光刻胶目前完全依赖进口，但国内企业已启动关键技术攻关。久日新材的光致产酸剂实现吨级订单，科技部“十四五”专项计划投入20亿元支持EUV光刻胶研发。华中科技大学团队开发的“双非离子型光酸协同增强响应”技术，将EUV光刻胶的灵敏度提升至0.5mJ/cm，较传统材料降低20倍曝光剂量。这些突破为未来3nm以下制程的技术储备奠定基础。
新型光刻技术融合
复旦大学团队开发的功能型光刻胶，在全画幅尺寸芯片上集成2700万个有机晶体管，实现特大规模集成（ULSI）水平。这种技术突破不仅拓展了光刻胶在柔性电子、可穿戴设备等新兴领域的应用，还为碳基芯片、量子计算等颠覆性技术提供了材料支撑。
江苏纳米压印光刻胶工厂半导体材料选吉田，欧盟认证，支持定制化解决方案!
广东吉田半导体材料有限公司以光刻胶为中心，逐步拓展至半导体全材料领域，形成了 “技术驱动、全产业链覆盖” 的发展格局。公司产品不仅包括芯片与 LCD 光刻胶，还延伸至锡膏、焊片、靶材等配套材料，为客户提供一站式采购服务。
市场与荣誉：
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产品远销全球 50 多个地区，客户包括电子制造服务商（EMS）及半导体厂商。
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获评 “广东省专精特新企业”“广东省创新型中小企业”，并通过技术企业认证。
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生产基地配备自动化设备，年产能超千吨，满足大规模订单需求。
未来展望：
公司计划进一步扩大研发中心规模，聚焦第三代半导体材料研发，如 GaN、SiC 相关光刻胶技术。同时，深化全球化布局，在东南亚、欧洲等地设立分支机构，强化本地化服务能力。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。
UV 纳米压印光刻胶：JT-2000 型号，耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高，重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺，如半导体器件制造。
其他光刻胶
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水油光刻胶 JT-2001：属于水油两用光刻胶，具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点，重量 1L。
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水油光刻胶 SR-3308：同样为水油两用光刻胶，重量 5L，具备上述通用优势，应用场景。
半导体材料方案选吉田，欧盟 REACH 合规，24 小时技术支持！
以无卤无铅配方与低 VOC 工艺为，吉田半导体打造环保光刻胶，助力电子产业低碳转型。面对全球环保趋势，吉田半导体推出无卤无铅锡膏与焊片，通过欧盟 RoHS 认证，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻胶采用低 VOC 配方（<50g/L），符合欧盟 REACH 法规，生产过程中通过多级废气处理与水循环系统，实现零排放。公司严格执行 8S 现场管理，工业固废循环利用率超 90%，为新能源汽车、光伏储能等领域提供绿色材料解决方案，成为全球客户信赖的环保材料供应商。深圳光刻胶厂家哪家好？湖北纳米压印光刻胶供应商
光刻胶的显示面板领域。深圳水性光刻胶
工艺流程
目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。
方法：
化学清洗（硫酸/双氧水、去离子水）；
表面处理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化处理）。
涂布（Coating）
方式：
旋涂：半导体/显示领域，厚度控制精确（纳米至微米级），转速500-5000rpm；
喷涂/辊涂：PCB/MEMS领域，适合大面积或厚胶（微米至百微米级，如负性胶可达100μm）。
关键参数：胶液黏度、涂布速度、基板温度（影响厚度均匀性）。
前烘（Soft Bake）
目的：挥发溶剂，固化胶膜，增强附着力和稳定性。
条件：
温度：60-120℃（正性胶通常更低，如90℃；负性胶可至100℃以上）；
时间：5-30分钟（根据胶厚调整，厚胶需更长时间）。
曝光（Exposure）
光源：
紫外光（UV）：G线（436nm）、I线（365nm）用于传统光刻（分辨率≥1μm）；
深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半导体先进制程（分辨率至20nm）；
极紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性胶适用）。
曝光方式：
接触式/接近式：掩膜版与胶膜直接接触（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
投影式：通过物镜聚焦（半导体，分辨率高，如ArF光刻机精度达22nm）。
深圳水性光刻胶
广东吉田半导体材料有限公司汇集了大量的优秀人才，集企业奇思，创经济奇迹，一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地，绘画新蓝图，在广东省等地区的电工电气中始终保持良好的信誉，信奉着“争取每一个客户不容易，失去每一个用户很简单”的理念，市场是企业的方向，质量是企业的生命，在公司有效方针的领导下，全体上下，团结一致，共同进退，齐心协力把各方面工作做得更好，努力开创工作的新局面，公司的新高度，未来吉田半导体供应和您一起奔向更美好的未来，即使现在有一点小小的成绩，也不足以骄傲，过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验，才能继续上路，让我们一起点燃新的希望，放飞新的梦想！
